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Diskrete Halbleiter-Produkte
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RF/if und RFID
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- Klemmen-magnetische Draht-Steckverbinder(3357)
- Klemmen-Messer Steckverbinder(3829)
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- Anschlussblöcke-Kontakte(306247)
- Anschlussblöcke-Barrier Blocks(44736)
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- Solid State Lighting Steckverbinder(2295)
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- Buchsen für ICS, Transistoren-Adapter(765)
- Buchsen für ICS, Transistoren(2223)
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- Rechteckige Steckverbinder-Gehäuse(28877)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, Spezial-PIN(5397)
- Rechteckige Anschlüsse - Header, Gefäße, weibliche Sockel(23450)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
- Rechteckige Anschlüsse - kostenloses Hängen, Panelhalterung(15074)
- Rechteckige Verbinder-Kontakte(5477)
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- Austauschbare Steckverbinder(5229)
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- Modulare Steckverbinder-Verdrahtung Blöcke(653)
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onsemi FDB8441
| Artikelnummer: | FDB8441 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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onsemi FDB8441 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDB8441.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 80A, 10V Verlustleistung (max) 300W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta), 120A (Tc) Grundproduktnummer FDB844 FDB8441 Einzelheiten PDF [English] FDB8441 PDF - EN.pdf -
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